Sick VS/VE18-4P3212 Photoelectric Sensor

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค Sick VS/VE18-4P3212

Sick VS/VE18-4P3212 ตระกูลโฟโตอิเล็กทริกในตัวเรือนทรงกระบอก M18 ให้พอร์ตโฟลิโอสินค้า M18 ที่ครอบคลุมที่สุด ครอบคลุมการใช้งานแบบต่างๆ ในรูปทรง M18 ที่เป็นมาตรฐาน ออกแบบเพื่อตอบสนองความต้องการด้านการตรวจจับที่หลากหลายและการติดตั้งที่ตรงตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

รูปแบบเซนเซอร์

Barrel

ชนิดการตรวจจับ

Through Beam

ระยะการตรวจจับ

0 - 20 m

ประเภทเอาต์พุต

Light/Dark Switching, PNP

การเชื่อมต่อไฟฟ้า

Cable

แรงดัน DC สูงสุด

30V

ประเภทเทอร์มินัล

4 Pin Connector

แหล่งกำเนิดแสง

Infrared

ระดับการป้องกัน IP

IP67

กระแสไฟฟ้าสูงสุด

100 mA

เวลาในการตอบสนอง

0.002 seconds

อุณหภูมิการทำงานสูงสุด

+70°C

อุณหภูมิการทำงานต่ำสุด

-25°C

วัสดุตัวเรือน

Metal

ซีรีส์

V18